设备用途

等离子体增强化学气相淀积(简称PECVD),主要用途是在硅片表面淀积一层减反射氮化硅膜(SixNy),同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子,对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时,也提高了硅片的少子寿命,最终直接体现在晶体硅电池的转换效率。该设备为国内唯一的第四代PECVD设备,综合性能媲美国际一流产品,其超越同行的实际成膜均匀性,大大减少了上代设备的色差现象,尤其适用于多晶电池片的工艺生产。

  产品亮点

1、业内独有、领先的压控/温控技术,最成熟的工艺支持

2、国产设备中唯一可媲美世界一流设备的成膜均匀性和表面色差

3、设备有效工作时间较其他国产设备高5%以上

4、自动上下舟系统中国内唯一采用进口精密直线单元

      主要技术参数

序号

指 标 项 目

    

1

成膜种类

氮化硅,氧化硅,氮氧化硅

2

适用硅片尺寸

125mm,□156mm

3

装片量

356/批(□125mm),308片/批(□156mm 

4

送片方式

软着陆

5

膜厚均匀性

片内≤±4%, 片间≤±4%, 批间≤±3%(膜厚目标值80nm)

6

折射率

2.0~2.2

7

工作温度范围

100~500

8

控温段数

5段

9

升温方式

自动斜率升温及快速恒温功能

10

恒温区精度及长度

±1/1400mm500

11

单点温度稳定度

<±1/4h500

12

升温时间

RT45045min

13

温度控制

双模控制

14

系统极限真空度

<1Pa

15

系统漏气率

≤0.5Pa /min.

16

压力控制方式

快速稳定,全自动闭环

17

工艺控制方式

全自动,多重安全连锁

18

人机交互界面

LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

19

上料方式

自动上下舟

20

与自动装卸片机接口

具有(可选)

21

MES系统

具有(可选)

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