设备用途

等离子体增强化学气相淀积(简称PECVD),主要用途是在硅片表面淀积一层减反射氮化硅膜(SixNy),同时利用在淀积过程中产生的活性H+离子,对硅片表面和内部进行钝化处理。在体现减少光反射的同时,也提高了硅片的少子寿命,最终直接体现在晶体硅电池的转换效率。 

丰盛装备拥有多项自主知识产权的新一代装片量432的PECVD正式入市并取得量产工艺重大突破!装片量、工艺时间、均匀性全面领先业内!其中工艺时间缩短到29分钟,均匀性指标真正实现低于4%,较市面现有416的明显提高。同时多项创新技术应用,使热损失更少、回温更快,有效降低了反应腔内气流阻、能耗和操作区温度,实际综合产能较市面416PE高15%左右,单机年产能达175MW。

  产品亮点

业内独有、领先的压控/温控技术,成熟的工艺支持

全球唯一的薄膜规保护技术

媲美世界一流设备的成膜均匀性和表面色差

设备有效工作时间97%以上

集成PID-free解决方案

MES & CCCRM功能

      主要技术参数

序号

指 标 项 目

    

1

成膜种类

氮化硅,氧化硅,氮氧化硅,氧化铝

2

适用硅片尺寸

125mm,□156mm

3

装片量

432片/管 

4

送片方式

悬臂推舟

5

膜厚均匀性

片内≤±4%, 片间≤±4%, 批间≤±3%(膜厚目标值80nm)

6

折射率

2.0~2.2

7

工作温度范围

100~500

8

控温段数

5段

9

升温方式

自动斜率升温及快速恒温功能

10

恒温区精度及长度

±1/1400mm500

11

单点温度稳定度

<±1/4h500

12

升温时间

RT45045min

13

温度控制

双模控制

14

系统极限真空度

<1Pa

15

系统漏气率

≤0.5Pa /min.

16

压力控制方式

快速稳定,全自动闭环

17

工艺控制方式

全自动,多重安全连锁

18

人机交互界面

LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

19

上料方式

自动上下舟

20

与自动装卸片机接口

具有(可选)

21

MES系统

具有(可选)

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